[发明专利]结合有多种栅叠层组成的电路有效
申请号: | 201310217777.9 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104022027B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 陈柏年;黄昱方;谢奇勋;吴伟成;杨宝如;庄学理 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/8234;H01L29/423;H01L27/088 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有多个不同器件栅极结构的集成电路和用于制造该电路的方法。形成该电路的示例性实施例包括接收具有第一器件区、第二器件区和第三器件区的衬底。在第一器件区、第二器件区以及第三器件区中的每一个的至少一部分上方形成第一界面层。第一界面层被图案化,以在第三器件区内限定栅叠层。在第二器件区的至少一部分上方形成第二界面层。第二界面层被图案化,以在第二器件区内限定栅叠层。在第一器件区的至少一部分上方形成第三界面层。第三界面层在第一器件区内限定栅叠层。本发明还提供了结合有多种栅叠层组成的电路。 | ||
搜索关键词: | 结合 多种 栅叠层 组成 电路 | ||
【主权项】:
一种形成集成电路的方法,所述方法包括:接收具有第一器件区、第二器件区和第三器件区的衬底;在所述第一器件区、所述第二器件区以及所述第三器件区中的每一个的至少一部分上方均形成第一界面层;图案化所述第一界面层,所述第一界面层的图案化在所述第三器件区内限定第一栅叠层;在所述第二器件区的至少一部分上方形成第二界面层;图案化所述第二界面层,所述第二界面层的图案化在所述第二器件区内限定第二栅叠层;以及在所述第一器件区的至少一部分上方形成第三界面层,所述第三界面层的形成在所述第一器件区内限定第三栅叠层,其中,所述第三界面层的组成成分不同于所述第一界面层和所述第二界面层中的每一个的组成成分,其中,所述第一栅叠层的高度、所述第二栅叠层的高度和所述第三栅叠层的高度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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