[发明专利]形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池有效
申请号: | 201310217778.3 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104022179B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池,其中一种制造光伏器件的缓冲层的方法包括提供衬底,该衬底具有设置在衬底上方的背接触层和设置在背接触层上方的吸收层;在吸收层上沉积金属层;以及在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的金属层实施热处理以形成缓冲层。 | ||
搜索关键词: | 形成 太阳能电池 缓冲 方法 由此 | ||
【主权项】:
一种制造光伏器件的缓冲层的方法,包括:提供衬底,所述衬底具有设置在所述衬底上方的背接触层和设置在所述背接触层上方的吸收层;在所述吸收层上沉积金属层;以及在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的所述金属层实施快速热退火处理以形成缓冲层,使得所述吸收层具有由硫、氧和硒所组成的组中的元素的原子百分比,所述吸收层和所述缓冲层之间的界面处的元素的原子百分比大于所述吸收层和所述背接触层之间的界面处的元素的原子百分比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310217778.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用以补偿转矩脉动的电机控制系统
- 下一篇:一种药材粉碎机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的