[发明专利]具有自对准栅的化合物半导体晶体管

摘要

本发明涉及具有自对准栅的化合物半导体晶体管。晶体管器件包括化合物半导体主体，其具有第一表面和在化合物半导体主体中被部署在第一表面之下的二维电荷载流子气。晶体管器件进一步包括与二维电荷载流子气接触的源以及与源间隔开并且与二维电荷载流子气接触的漏。第一钝化层与化合物半导体主体的第一表面接触，而第二钝化层被部署在第一钝化层上。第二钝化层具有与第一钝化层不同的刻蚀速率选择性。栅延伸穿过第二钝化层到第一钝化层中。

主权项

一种制造晶体管器件的方法，其包括：提供化合物半导体主体，其具有第一表面和在化合物半导体主体中被部署在第一表面之下的二维电荷载流子气；形成与二维电荷载流子气接触的源；形成与源间隔开并且与二维电荷载流子气接触的漏；形成具有与化合物半导体主体的第一表面接触的第一表面以及背离第一表面的第二表面的第一钝化层；形成与第一钝化层接触的第二钝化层，所述第二钝化层具有与第一钝化层不同的刻蚀速率选择性；形成在第二钝化层中的刻蚀的开口，所述刻蚀的开口延伸穿过第二钝化层且在第一表面处停止；形成在第一钝化层中的在所述刻蚀的开口下方的进一步刻蚀的开口，所述进一步刻蚀的开口从第二表面朝着化合物半导体主体延伸；形成在刻蚀的开口中且在进一步刻蚀的开口中的栅；以及形成在第二钝化层中与栅间隔开并且被部署在第一钝化层上的场板，其中形成刻蚀的开口和形成进一步刻蚀的开口包括两个不同的刻蚀工艺，以及其中形成栅和场板包括：    形成延伸穿过第二钝化层到第一钝化层的第一和第二横向间隔开的开口；在第二钝化层的区上形成掩模层，使得第二开口由掩模层保护，而第一开口没有被保护；延伸第一开口穿过第一钝化层并且到化合物半导体主体中，而第二开口由掩模层保护；在第一开口被延伸穿过第一钝化层并且移除掩模层后在第二钝化层上沉积导电材料，使得第一和第二开口至少部分地用导电材料填充；以及从背离化合物半导体材料的第二钝化层的面移除导电材料。