[发明专利]高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310218019.9 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104218082B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法。在本发明的一个示范性实施例中，一种鳍型场效应晶体管，包括衬底；鳍体，设置在该衬底上，该鳍体包括第一半导体鳍条，具有第一导电类型；以及第二半导体鳍层，共形地覆盖所述第一半导体鳍条，且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型；栅极，覆盖所述鳍体，其中所述栅极和所述鳍体通过栅极绝缘层间隔开；以及源极和漏极，分别设置在所述栅极的相反两侧且接触所述第一半导体鳍条和所述第二半导体鳍层二者。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底；鳍体，设置在该衬底上，该鳍体包括：第一半导体鳍条，具有第一导电类型；第二半导体鳍层，共形地覆盖所述第一半导体鳍条，且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型；其中，所述第二半导体鳍层的带隙大于所述第一半导体鳍条的带隙；以及势垒层，其共形地覆盖所述第二半导体鳍层；其中，所述势垒层的带隙大于所述第二半导体鳍层的带隙；栅极，覆盖所述鳍体，其中所述栅极和所述鳍体通过栅极绝缘层间隔开；以及源极和漏极，分别设置在所述栅极的相反两侧且接触所述第一半导体鳍条和所述第二半导体鳍层二者。
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