[发明专利]具有异质结结构的阻变存储器及其读取方法无效
| 申请号： | 201310218048.5 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103345935A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;吴明昊;白越;张烨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有异质结结构的阻变存储器，其阻变存储单元包括：下电极；形成在下电极之上的阻变层；形成在阻变层之上的附加氧化层，其中，附加氧化层与阻变层构成异质结结构，下电极通过金属互连与阻变存储器的字线或位线中的其一相连，异质结结构通过金属互连与阻变存储器的字线或位线中的另一相连，字线与位线呈横纵交叉。本发明还提出一种具有异质结结构的阻变存储器的读取方法，采用本发明公开的具有异质结结构的阻变存储器，包括以下步骤：在所述阻变存储单元对应的字线或位线的其一加电压+0.5Vread，在所述阻变存储单元对应的字线或位线的另一加电压-0.5Vread，读取数据。本发明具有稳定可靠，读取准确的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 异质结 结构 存储器 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种具有异质结结构的阻变存储器，其特征在于，阻变存储器中的阻变存储单元包括：下电极；形成在所述下电极之上的阻变层；形成在所述阻变层之上的附加氧化层，其中，所述附加氧化层与所述阻变层构成异质结结构，所述下电极通过金属互连与阻变存储器的字线或位线中的其一相连，所述异质结结构通过金属互连与阻变存储器的字线或位线中的另一相连，所述字线与位线呈横纵交叉。
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