[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310218332.2 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103579342A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 林敏奎;李桢焕;郑贰善 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;韩芳 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：P型阱区域和N型阱区域，形成在基底中；栅极绝缘层，具有非均匀的厚度并形成在P型阱区域和N型阱区域上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；P型阱拾取区域，形成在P型阱区域中；场解除氧化物层，形成在栅电极与漏极区域之间的N型阱区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：P型阱区域和N型阱区域，形成在基底中；栅极绝缘层，具有非均匀的厚度并形成在P型阱区域和N型阱区域上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；P型阱拾取区域，形成在P型阱区域中；以及场解除氧化物层，形成在栅电极与漏极区域之间的N型阱区域中。
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