[发明专利]具有基板的集成电路封装系统及其制造方法有效
申请号: | 201310218417.0 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN103456647B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | Y·林;I·K·石;J·具;J·A·卡帕拉斯 | 申请(专利权)人: | 星科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/528 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 新加坡,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种具有基板的集成电路封装系统及其制造方法,包括一基板,该基板具有一上端绝缘层与一上端传导层;一互作用层,该互作用层在该基板上面;一集成电路晶粒,该集成电路晶粒在该基板上面;一封装体,该封装体在该互作用层与该集成电路晶粒上面;以及一上端焊锡凸块,该上端焊锡凸块在该上端传导层上面,该上端焊锡凸块在一3D穿孔中,该3D穿孔为通过该封装体、该互作用层、与该上端绝缘层形成,用以暴露在该3D穿孔中的该上端传导层。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成电路 封装 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造集成电路封装系统的方法,该方法包括:提供一集成电路晶粒;囊封该集成电路晶粒在一封装体;施加一互作用层在该封装体上面;形成一基板在该互作用层上面,该基板具有一上端绝缘层与一上端传导层,其中,该互作用层直接在该上端绝缘层上面以及在该封装体及该上端绝缘层之间;形成一3D穿孔,该3D穿孔通过该封装体、该互作用层、与该上端绝缘层,用以暴露在该3D穿孔中的该上端传导层;以及沉积一上端焊锡凸块在该上端传导层上面的该3D穿孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造