[发明专利]含纳米硫化铜钡的孤立膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310219042.X 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN103274446A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 夏海平;徐磊;王冬杰;张约品 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: C01G3/12 分类号: C01G3/12;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了含纳米硫化铜钡的孤立膜及制备方法。孤立薄膜的基质为有机改性硅醇盐甲基三乙氧基硅烷(MTES)与钛酸丁酯,用溶胶-凝胶工艺,经水解与聚合后而成的m(CH3SiO3/2)-n(TiO2)基有机-无机孤复合材料,用于近红外吸收的纳米粉体为黄铜矿结构把BaCu2S2。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化钡混合溶液与硫化钠溶液进行接触反应,生成BaCu2S2。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理,然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中,再与MTES/钛酸丁酯复合,然后涂覆于洁净的涤纶衬底膜表面上,制得含纳米BaCu2S2无支撑厚膜。本发明工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、制备的薄膜材料折射率大,可望用于太阳能热屏蔽与特种领域的红外吸收材料上。
搜索关键词: 纳米 硫化铜 孤立 制备 方法
【主权项】:
含纳米硫化铜钡的孤立膜及制备方法,其中纳米硫化铜钡粉体的分子式为BaCu2S2。其晶相结构为稳定的黄铜矿结构,该纳米硫化铜钡粉体具有强的近红外线吸收特性。
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