[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310220137.3 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104217951B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的界面层、高k介电层、Al2O3保护层、覆盖层和牺牲栅电极层；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，形成栅沟槽；在所述栅沟槽内形成金属栅极结构。根据本发明，在伪栅极结构中的高k介电层和覆盖层之间形成Al2O3保护层，可以阻止后续形成于覆盖层之上的金属栅极结构中的由TiAl构成的功函数金属层中的Al向高k介电层中的扩散，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅极结构，位于所述NMOS区的伪栅极结构包括自下而上层叠的界面层、高k介电层、Al2O3保护层、覆盖层和牺牲栅电极层；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，形成栅沟槽；在所述栅沟槽内形成金属栅极结构，所述金属栅极结构包括自下而上层叠的功函数金属层和金属栅极材料层，所述Al2O3保护层阻止所述功函数金属层中的Al向所述高k介电层中的扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
