[发明专利]形成空气隙的方法

摘要

本发明公开了一种形成空气隙的方法，通过在进行沟槽的工艺设计时，就规定了沟槽的关键尺寸大于工艺需求的关键尺寸，在形成较大关键尺寸的沟槽中沉积一保型覆盖层，并去除沟槽结构底部和半导体衬底上表面的保型覆盖层，留下保型覆盖牺牲层，继续后续的填充工艺，最后去除保型覆盖牺牲层，再在其顶部沉积一阻挡层，获得空气隙结构；本发明工艺步骤简单，耗材较少，从而在改善RC延迟的同时，还增大了光刻和刻蚀时通孔和沟槽的关键尺寸，降低了工艺难度，进而提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

一种形成空气隙的方法，应用于降低介质层的等效介电常数的工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一具有沟槽的半导体衬底；于所述沟槽的侧壁上制备保型覆盖牺牲层后，采用金属填充工艺于所述沟槽中充满金属，形成金属层；去除所述保型覆盖牺牲层后，沉积阻挡层覆盖所述半导体衬底和所述金属层的上表面，于所述沟槽中形成空气隙。