[发明专利]硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法有效
| 申请号： | 201310220562.2 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103335753A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 伞海生;张鸿;张强;余煜玺 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 膜结构 压力传感器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅‑玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片，其特征在于为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。
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