[发明专利]液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法

摘要

液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法。形成所述阵列基板的薄膜晶体管的栅极。所述栅极具有围绕该栅极的内部区域的边缘区域，并且所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚。在所述栅极上方形成半导体层。形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述半导体层中限定沟道区域。所述沟道区域位于所述栅极的内部区域上方。另外，可以利用半色调掩模形成所述栅极，所述半色调掩模导致所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚。

主权项

1.一种液晶显示设备的阵列基板，所述阵列基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极，所述栅极具有围绕该栅极的内部区域的边缘区域，其中，所述栅极的边缘区域在竖直方向上比所述栅极的内部区域更厚，并且所述边缘区域的下表面与所述内部区域的下表面处于同一平面；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜位于所述栅极上方，并围绕所述栅极；源极，所述源极位于所述栅绝缘膜上；漏极，所述漏极位于所述栅绝缘膜上；以及半导体层，所述半导体层位于所述栅绝缘膜上，并具有由所述源极和所述漏极限定的沟道区域，其中所述沟道区域位于所述栅极的内部区域上方；像素电极，所述像素电极位于所述栅绝缘膜上，并连接到所述漏极；钝化膜，所述钝化膜位于所述源极、所述漏极、所述像素电极和所述半导体层上方；以及光阻挡膜图案，所述光阻挡膜图案位于所述沟道区域上方，所述光阻挡膜图案具有比所述源极和所述漏极的总面积更宽的面积，并且具有比所述栅极的面积更窄的面积，其中，所述栅极是用单个半色调掩模形成的。