[发明专利]一种直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201310220724.2 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103253663A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 尚艳霞;黄志宏;周霖;王泽松;付德君 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，该方法利用离子注入方法在过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上制备石墨烯；然后，依次清除过渡金属膜层上表面的石墨烯、过渡金属膜层，即在SiO2/Si衬底上得到石墨烯。本发明方法简单方便，可直接在SiO2/Si衬底上得到缺陷度低、高质量的石墨烯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 sio sub si 衬底 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：利用离子注入方法在过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上制备石墨烯，所述的过渡金属膜层的厚度要保证可在过渡金属膜层上、下表面均获得石墨烯；然后，依次清除过渡金属膜层上表面的石墨烯、过渡金属膜层，即在SiO2/Si衬底上得到石墨烯。
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