[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法有效

专利信息
申请号: 201310220939.4 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103450242B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 萧满超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·钱德拉;韩冰;M·L·奥内尔;S·G·玛约加;A·玛利卡尔朱南 申请(专利权)人: 弗萨姆材料美国有限责任公司
主分类号: C07F7/02 分类号: C07F7/02;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 吴亦华
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面,提供式I的前体其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基;任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环;且n=1或2。
搜索关键词: 有机 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉积 方法
【主权项】:
包含Si‑N键、Si‑Si键和Si‑H3基团的有机氨基乙硅烷前体,选自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷。
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