[发明专利]通过厚底部绝缘物中的感应净电荷区的性能优良的MOSFET

摘要

一种半导体功率器件包括一个厚底部绝缘物，形成在半导体外延区的沟槽底部。一个导电栅极电极形成在底部绝缘物上方的沟槽中。栅极电极通过底部绝缘物和栅极绝缘物，与外延区电绝缘。在底部绝缘物和外延半导体区之间的交界面附近，专门将电荷引入到厚底部绝缘物中。

主权项

一种半导体功率器件，包括：一个具有第一导电类型掺杂物的半导体衬底；一个形成在衬底上用第一导电类型掺杂物掺杂的外延半导体区，外延半导体区的掺杂浓度低于衬底的掺杂浓度；一个形成在外延半导体区中的沟槽；一个形成在沟槽附近的外延半导体区中的本体区，其特征在于，所述本体区掺杂第二导电类型的掺杂物，第二导电类型与第一导电类型相反；一个第一导电类型的源极区，其形成在沟槽附近，使本体区位于源极区和外延区之间，其中所述源极区的掺杂浓度高于外延半导体区的掺杂浓度；一个形成在沟槽底部的厚底部绝缘物；一个导电栅极电极，其形成在厚底部绝缘物上方的沟槽中，其中栅极电极通过厚底部绝缘物，与沟槽底部绝缘，并且通过栅极绝缘物，与沟槽侧壁绝缘；以及一个第一导电类型的感应净电荷区域，其在厚底部绝缘物和外延半导体区之间的交界面附近的厚底部绝缘物中。