[发明专利]等离子体刻蚀设备及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310222055.2 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103295870A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;叶如彬;吴世鎭 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀设备及刻蚀方法，其中等离子体刻蚀设备包括：刻蚀腔室；第一射频电源，所述第一射频电源提供2MHz至120MHz的射频功率；第二射频电源，所述第二射频电源提供2MHz至40MHz的射频功率；电源脉冲控制器，所述电源脉冲控制器控制第一射频电源和/或第二射频电源的脉冲，使得所述第一射频电源的脉冲频率大于1000Hz和/或所述第二射频电源的脉冲频率小于1000Hz。本发明能够改善形成的刻蚀孔的侧壁形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀腔室；第一射频电源，所述第一射频电源提供2MHz至120MHz的射频功率；第二射频电源，所述第二射频电源提供2MHz至40MHz的射频功率；电源脉冲控制器，所述电源脉冲控制器控制第一射频电源和/或第二射频电源的脉冲，使得所述第一射频电源的脉冲频率大于1000Hz和/或所述第二射频电源的脉冲频率小于1000Hz。
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