[发明专利]互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310222161.0 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104217991B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括提供半导体衬底，并在半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、粘附层、保护层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成第一开口，第一开口贯穿所述硬掩膜层；进行等离子体处理和清洗工艺；以剩余的所述硬掩膜层为掩模，依次对所述保护层、粘附层和层间介质层进行刻蚀，直至在所述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在所述刻蚀结构内填充满金属材料，并去除剩余的所述硬掩膜层、保护层和粘附层。本发明形成金属插塞和金属互连线中的一种或其组合数量准确且形貌较佳，包含所形成金属插塞和金属互连线中的一种或其组合的半导体器件的性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、粘附层、保护层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成第一开口；进行等离子体处理和清洗工艺；以剩余的所述硬掩膜层为掩模，依次对所述保护层、粘附层和层间介质层进行刻蚀，直至在所述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在所述刻蚀结构内填充满金属材料，并去除剩余的所述硬掩膜层、保护层和粘附层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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