[发明专利]曝光方法有效
| 申请号： | 201310222163.X | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104216233A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 倪百兵;曹轶宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供待曝光图案，所述待曝光图案具有若干图形，且所述待曝光图案具有两种不同间距的所述图形；提供伪辅助图案，所述伪辅助图案包括若干数量的辅助图形，相邻辅助图形的间距相同；获取所述辅助图形的宽度和相邻辅助图形的间距；当所述相邻图形的间距大于或等于临界尺寸时，确定所述相邻图形之间的区域为填充区，所述填充区边缘的图形为孤立图形；在所述待曝光图案的填充区内填充所述辅助图案，形成伪待曝光图形；根据所述伪待曝光图形形成第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形分别作为双重图形化曝光的两套掩膜图形。所述曝光方法可以提高刻蚀图形的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，其特征在于，包括：提供待曝光图案，所述待曝光图案具有若干图形，且所述待曝光图案具有两种不同间距的所述图形；提供伪辅助图案，所述伪辅助图案包括若干数量的辅助图形，且相邻辅助图形的间距相同；获取所述伪辅助图案中的辅助图形的宽度和相邻辅助图形的间距；获取待曝光图案中相邻图形的间距，当所述相邻图形的间距大于或等于临界尺寸时，确定所述相邻图形之间的区域为填充区；根据所述填充区，确定所述填充区边缘的图形为孤立图形；根据所述填充区的尺寸、辅助图形的宽度、相邻辅助图形的间距、单次曝光的极限间距和所述孤立图形的延伸方向，获取辅助图形数量及辅助图形的延伸方向；根据辅助图形的数量和延伸方向获取辅助图案，在所述待曝光图案的填充区内填充所述辅助图案，形成伪待曝光图形；根据所述伪待曝光图形形成第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形分别作为双重图形化曝光的两套掩膜图形。
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