[发明专利]阵列基板、其制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201310222271.7 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103295970A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;王刚;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L23/50;H01L29/41;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板、其制造方法及显示装置，涉及显示技术领域，解决了显示装置图像质量下降的问题。本发明提供的阵列基板制造方法，包括：在基板上依次形成附着力增强层、含铜金属层及光刻胶，通过掩膜板进行曝光显影，分别形成保留区及去除区，采用一次湿法刻蚀工艺同时对去除区的附着力增强层、含铜金属层及光刻胶进行处理，在保留区形成对应于附着力增强层的附着力增强层中间层、对应于含铜金属层的含铜金属层中间层及光刻胶；采用干法蚀刻工艺同时对所述附着力增强层中间层、含铜金属层中间层及光刻胶进行处理，之后进行光刻胶剥离，分别形成图案化的附着力增强层和图案化的含铜金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成附着力增强层、含铜金属层及光刻胶，通过掩膜板进行曝光显影，分别形成保留区及去除区，保留区对应图案形成区，采用一次湿法刻蚀工艺同时对去除区的附着力增强层、含铜金属层及光刻胶进行处理，在保留区形成对应于附着力增强层的附着力增强层中间层、对应于含铜金属层的含铜金属层中间层及光刻胶；采用干法蚀刻工艺同时对所述附着力增强层中间层、含铜金属层中间层及光刻胶进行处理，之后进行光刻胶剥离，分别形成图案化的附着力增强层和图案化的含铜金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
