[发明专利]单原子层氮化硼在表面涂层中的应用无效
| 申请号： | 201310222571.5 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103333536A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;李雪梅;殷俊 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;C09D5/08 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了单原子层氮化硼在表面涂层中的应用，可应用的基底包括带有绝缘氧化层或绝缘介电层的金属或半导体，或是高分子柔性材料，或是不导电的无机材料，或是导电的金属，或是光敏半导体材料。基底表面可以是平整的或弯曲的。氮化硼膜层的制备方法包括化学气相沉积、外延生长、等离子体溅射、磁控溅射。结合氮化硼的方式可以是直接生长或者转移至基底表面。该涂层在几乎不改变基底的厚度与外观的情况下，直接将基底的润湿性转化为氮化硼本身的润湿性、增强基底的抗摩擦性能和抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 氮化 表面 涂层 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种单原子层氮化硼在表面涂层中的应用。
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