[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310222771.0 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103515288B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 鍜治昂男;佐佐木克仁;古平贵章;土井祐树;折津美奈子 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置防止与集合配置的元件分离用沟道结构邻接的沟道产生裂缝。半导体装置具备半导体基板；相互分离地形成于半导体基板的一主面的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道（30）、（20）；形成于第1元件分离用沟道内的第1绝缘物（120）；被第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域（38）、（39）；形成于第1元件形成区域的第1半导体元件；形成于第2元件分离用沟道内的第2绝缘物（120）；被第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域（26）；形成于第2元件形成区域的第2半导体元件；形成于第1元件分离用沟道和第2元件分离用沟道之间的应力缓和结构（40）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；相互分离地形成于所述半导体基板的一主面的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道；形成于所述第1元件分离用沟道内的第1绝缘物；被所述第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域；形成于所述第1元件形成区域的第1半导体元件；形成于所述第2元件分离用沟道内的第2绝缘物；被所述第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域；形成于所述第2元件形成区域的第2半导体元件；以及形成于所述第1元件分离用沟道和所述第2元件分离用沟道之间的应力缓和结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
