[发明专利]沟道式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310223242.2 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104241127A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 郑谦兴 | 申请（专利权）人： | 硕颉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟道式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。在该沟道式栅极金氧半场效晶体管。N型外延层配置于N型基底上。N型源极区配置于N型外延层中。N型外延层具有至少一沟道。作为栅绝缘层的绝缘层配置于沟道中。作为栅极的导体层填满沟道。二隔离结构配置于沟道两侧的N型源极区中且与沟道接触。二导体插塞配置于沟道两侧的N型外延层中且贯穿N型源极区。介电层配置于N型外延层上。金属层配置于介电层上并与N型源极区电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 栅极 半场 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道式栅极金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在具有一第一导电型的一基底上形成具有该第一导电型的一外延层；在该外延层中形成具有该第一导电型的一源极区；在该源极区中形成至少二第一沟道；在该些第一沟道中分别填满多个第一绝缘层，以构成多个隔离结构；在该外延层中形成一第二沟道，使得该些隔离结构位于该第二沟道的两侧且与该第二沟道接触；在该第二沟道中形成一第二绝缘层；在该第二沟道中填入一第一导体层；在该第二沟道两侧的该外延层中分别形成二第三沟道；以及在该些第三沟道中分别填入多个第二导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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