[发明专利]多频率晶体振荡电路有效

专利信息
申请号: 201310223317.7 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN104218892B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 李云艳;王旭;杨光华 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/08
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种多频率晶体振荡电路,包括数字控制电路,用于切换晶体振荡的参数,来满足不同频率晶体振荡的要求;与所述数字控制电路相连接的振幅控制电路,用于限制晶体两端的电压摆幅;与所述数字控制电路和振幅控制电路相连接的振荡电路,用于使晶体产生振荡;与所述振荡电路相连接的放大电路,用于使输出电压达到满摆幅振荡,并且具有满足设计要求的占空比。本发明能有效降低系统的功耗,振荡电路可复用。
搜索关键词: 频率 晶体 振荡 电路
【主权项】:
一种多频率晶体振荡电路,其特征在于,包括:一数字控制电路,用于切换晶体振荡的参数,来满足不同频率晶体振荡的要求;一振幅控制电路,与所述数字控制电路相连接,用于限制晶体两端的电压摆幅;一振荡电路,与所述数字控制电路和振幅控制电路相连接,用于使晶体产生振荡;一放大电路,与所述振荡电路相连接,用于使输出电压达到满摆幅振荡,并且具有满足设计要求的占空比;所述数字控制电路由第八NMOS晶体管、第九NMOS晶体管、第十一NMOS晶体管、第十三NMOS晶体管、第十四NMOS晶体管和第十五NMOS晶体管组成;第八NMOS晶体管的栅极与第一数字控制端相连接,第十五NMOS晶体管的栅极与第二数字控制端相连接;第八NMOS晶体管的漏极与第十五NMOS晶体管的漏极相连接;第九NMOS晶体管的栅极与第一数字控制端相连接,第十一NMOS晶体管的栅极与第二数字控制端相连接;第九NMOS晶体管的漏极与第十一NMOS晶体管的漏极相连接;第一数字控制端与第一反相器的输入端相连接,第十三NMOS晶体管M13的栅极与第一反相器的反相输出端相连接;第二数字控制端与第二反相器的输入端相连接,第十四NMOS晶体管的栅极与第二反相器的反相输出端相连接;第十三NMOS晶体管的漏极与第十四NMOS晶体管的漏极与电源电压端相连接;所述振幅控制电路由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第十NMOS晶体管组成;第三NMOS晶体管和第十NMOS晶体管的栅极与第二电阻的一端和第三电容的一端相连接,第三电容的另一端接地;第二电阻的另一端与晶体的电压输入端相连接;第三NMOS晶体管和第十NMOS晶体管的源极与第三电阻的一端相连接,第三电阻的另一端接地;第四NMOS晶体管的栅极和源极与所述数字控制电路中的第九NMOS晶体管和第十一NMOS晶体管的漏极相连接;所述振荡电路由第十六NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第七NMOS晶体管M7和第十二NMOS晶体管组成;第十六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的栅极与晶体的电压输入端相连接;第七NMOS晶体管和第十六NMOS晶体管的源极接地;第七NMOS晶体管的漏极与所述数字控制电路中的第八NMOS晶体管的源极相连接;第十六NMOS晶体管的漏极与所述数字控制电路中的第十五NMOS晶体管的源极相连接;第十二NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极与所述数字控制电路中的第九NMOS晶体管和第十一NMOS晶体管的漏极相连接;第十二NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极与所述数字控制电路中的第八NMOS晶体管和第十五NMOS晶体管的漏极相连接;第十二NMOS晶体管的漏极与所述数字控制电路中的第十三NMOS晶体管的源极相连接;第二NMOS晶体管的漏极与所述数字控制电路中的第十四NMOS晶体管的源极相连接;所述放大电路由第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管组成;第五NMOS晶体管的栅极与所述数字控制电路中的第九NMOS晶体管和第十一NMOS晶体管的漏极相连接;第五NMOS晶体管的漏极与电源电压端相连接;第五NMOS晶体管的源极与第六NMOS晶体管的漏极相连接,该连接的节点作为所述多频率晶体振荡电路的电压输出端;第六NMOS晶体管的栅极与晶体的电压输入端相连接,第六NMOS晶体管的源极接地;晶体的电压输入端和电压输出端之间连接一第四电阻;晶体的电压输入端与地之间连接一第五电容;晶体的电压输出端与地之间连接一第四电容。
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