[发明专利]一种超细单晶Si纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201310223540.1 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103290481A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张析;李瑞;向钢 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/06;C30B25/00 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种超细单晶Si纳米线及其制备方法。所述超细单晶Si纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）超细单晶Si纳米线的生长：①将SiO粉末平铺在第一载物盘上并放入双温区管式炉的高温区中心部位，将所述长基底放在第二载物盘上并放入所述双温区管式炉的低温区中心部位；②在通载流气体条件下将双温区管式炉的低温区升温至950~960℃，高温区升温至1300~1350℃，并使炉内压强保持在0.02~0.04MPa，然后在上述温度和压强保温4~6h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出超细单晶Si纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超细单晶 si 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超细单晶Si纳米线，其特征在于该纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。
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