[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310223571.7 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103311284A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体器件有源区；位于半导体器件有源区上的电极形状控制层，电极形状控制层中含有铝元素，铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；电极形状控制层上设有电极区，电极区设有向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；全部或部分位于电极区中凹槽内的电极，电极形状与凹槽形状对应设置，电极底部与半导体器件有源区相接触。本发明通过控制电极的形状，改变电极附近电场强度的分布，提高半导体器件的击穿电压和可靠性等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体器件有源区；位于所述半导体器件有源区上的电极形状控制层，所述电极形状控制层中含有铝元素，所述全部或部分电极形状控制层中铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；所述电极形状控制层上设有电极区，所述电极区设有向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，所述凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；全部或部分位于所述电极区中凹槽内的电极，所述电极形状与凹槽形状对应设置，所述电极底部与半导体器件有源区相接触。
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