[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构;所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。该四结级联太阳电池带隙组合为1.90eV，1.42eV，～1.03eV，0.73eV，各个子电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。

主权项

一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，其特征在于：所述GaAs衬底具有双面生长结构；所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联；其中，所述GaInP/GaAs双结电池包括按照远离所述GaAs衬底的方向依次连接GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP子电池；其中，所述GaAs子电池包括设置于所述GaAs衬底第二面的P++AlGaAs背场，按照远离所述GaAs衬底第一面的依次连接的N‑GaAs发射区和N++AlInP窗口层；所述GaAs衬底形成所述GaAs子电池的基区；其中，所述渐变过渡层包括AlxIn1‑xAs渐变过渡层，其中x＝1～0.48；所述AlxIn1‑xAs渐变过渡层的带隙大于1.42eV。