[发明专利]AlN膜表面金属化层制备方法

摘要

本发明涉及一种AlN膜表面的金属化层制备方法，适用于微电子工业中电路基板和封装领域。按照以下工艺步骤进行：在真空环境和一定的生长温度条件下，首先在基板表面用磁控溅射法生长所需厚度的AlN膜，然后在AlN膜表面溅射生长TiN1-x、AlN1-x或CrN1-x（x=0-1）梯度膜（x由0逐渐过渡到1，即由富氮相逐步过渡到纯金属相），最后在适当的温度下溅射生长纯Cu膜。另外，可以根据Cu膜使用厚度的需要用电镀法镀Cu，使Cu膜增厚以及在前述每一步膜生长过程后进行适当的退火处理以提高膜层之间的结合力。使用该方法获得的薄膜具有纯度高、粘附力强的优点，保证了封装过程中的焊接强度和可靠性。

主权项

一种AlN膜表面的金属化层制备方法，其主要特征在于采用Ti(Al,Cr)N1‑x梯度层来强化AlN和Cu膜之间的结合力；AlN膜表面金属化的多层复合结构为：基板/AlN/Ti(Al,Cr)N1‑x（x=0‑1）/Cu；多层膜结构的具体制备工艺步骤如下：（a）在真空环境下，用磁控溅射法在选定基板表面生长AlN膜；（b）在适当的温度条件下，用磁控溅射法在AlN 膜上生长TiN1‑x、AlN1‑x或CrN1‑x梯度膜，x值由0逐步过渡到1；（c）在适当温度条件下，继续用磁控溅射法在AlN/梯度膜表面生长Cu膜；（d）根据需要对前述基板进行Cu膜电镀增厚。