[发明专利]一种宽带白光长余辉材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310224050.3 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103320126A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李杨;董国平;邱建荣;彭明营 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;C09K11/64;C09K11/62 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种宽带白光长余辉材料，基体材料为AZBYCXO（Z+1.5Y+2X），其中A取自Zn；B为Al或Ga；C为Si、Ge、Sn中的一种；0.5≤X≤5，1≤Y≤3，1≤Z≤10，Z/X=2/1；基体材料中掺杂0～20mol%的M，其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明制备的长余辉发光材料发光范围位于300nm～800nm，发光峰位于520nm。此种材料首先可以在200nm～350nm范围内被激发，发射出300nm～800nm，发光峰位于520nm的宽带荧光，并且具备长余辉特性，余晖时间大于2h。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 白光 余辉 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种宽带白光长余辉材料，其特征在于，基体材料为AZBYCXO（Z+1.5Y+2X），其中A为Zn；B为Al或Ga；C为Si、Ge、Sn中的一种；0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10，Z/X=2/1；基体材料中掺杂0～20mol%的M，其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310224050.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
