[发明专利]硅铸锭炉及其泄漏检测装置有效
申请号: | 201310224081.9 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN103255470A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 刘磊;夏新中;潘明翠 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置。泄漏检测装置包括:托盘,托盘包括本体区域和围绕本体区域的周向设置的熔硅承接区域,熔硅承接区域上设置有多个通孔;检测线,设置于托盘的熔硅承接区域的上表面,且检测线沿多个通孔所构成的路径延伸,检测线的引脚穿过一个通孔;以及检测单元,与引脚电连接,用于检测检测线的电阻。本发明的泄漏检测装置的托盘设置在坩埚的下方,当发生泄漏时,熔硅流到托盘的熔硅承接区域上,将检测线熔断,导致检测线的电阻变为无穷大,检测单元对检测线的电阻进行监控,当检测到检测线的两个引脚之间的电阻值大于预设值,发出报警信号,以提醒工作人员硅铸锭炉内发生了熔硅泄漏事故。 | ||
搜索关键词: | 铸锭 及其 泄漏 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种硅铸锭炉的泄漏检测装置,其特征在于,包括:托盘(10),所述托盘(10)包括本体区域(14)和围绕所述本体区域(14)的周向设置的熔硅承接区域(12),所述熔硅承接区域(12)上设置有多个通孔(11);检测线(20),设置于所述托盘(10)的所述熔硅承接区域(12)的上表面,且所述检测线沿所述多个通孔(11)所构成的路径延伸,所述检测线(20)的引脚(21)穿过一个所述通孔(11);以及检测单元,与所述引脚(21)电连接,用于检测所述检测线(20)的电阻。
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