[发明专利]硅铸锭炉及其泄漏检测装置有效

专利信息
申请号: 201310224081.9 申请日: 2013-06-06
公开(公告)号: CN103255470A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 刘磊;夏新中;潘明翠 申请(专利权)人: 英利集团有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置。泄漏检测装置包括:托盘,托盘包括本体区域和围绕本体区域的周向设置的熔硅承接区域,熔硅承接区域上设置有多个通孔;检测线,设置于托盘的熔硅承接区域的上表面,且检测线沿多个通孔所构成的路径延伸,检测线的引脚穿过一个通孔;以及检测单元,与引脚电连接,用于检测检测线的电阻。本发明的泄漏检测装置的托盘设置在坩埚的下方,当发生泄漏时,熔硅流到托盘的熔硅承接区域上,将检测线熔断,导致检测线的电阻变为无穷大,检测单元对检测线的电阻进行监控,当检测到检测线的两个引脚之间的电阻值大于预设值,发出报警信号,以提醒工作人员硅铸锭炉内发生了熔硅泄漏事故。
搜索关键词: 铸锭 及其 泄漏 检测 装置
【主权项】:
一种硅铸锭炉的泄漏检测装置,其特征在于,包括:托盘(10),所述托盘(10)包括本体区域(14)和围绕所述本体区域(14)的周向设置的熔硅承接区域(12),所述熔硅承接区域(12)上设置有多个通孔(11);检测线(20),设置于所述托盘(10)的所述熔硅承接区域(12)的上表面,且所述检测线沿所述多个通孔(11)所构成的路径延伸,所述检测线(20)的引脚(21)穿过一个所述通孔(11);以及检测单元,与所述引脚(21)电连接,用于检测所述检测线(20)的电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利集团有限公司,未经英利集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310224081.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top