[发明专利]封装对准结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310224396.3 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037142B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘明凯;缪佳君;吴凯强;梁世纬;杨青峰;王彦评;吕俊麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 对准 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，所述第一接合焊盘的第一中心线穿过所述第一接合焊盘的中心且垂直于所述第一衬底的顶面；第一导电连接件，位于第二衬底上，所述第一导电连接件的第二中心线穿过所述第一导电连接件的中心且垂直于所述第二衬底的顶面，所述第二衬底位于所述第一衬底上方，并且所述第一衬底的顶面面向所述第二衬底的顶面；以及第一对准部件，与所述第一衬底的顶面上的所述第一接合焊盘相邻，所述第一对准部件具有凸形顶面，所述第一对准部件与所述第一衬底的顶面直接接触，并且所述第一对准部件与所述第一导电连接件的侧壁直接接触，所述第一对准部件被配置为使所述第一中心线与所述第二中心线对准；第二对准部件，位于所述第二衬底上，所述第二对准部件位于所述第一对准部件上方并与所述第一对准部件接触，所述第二对准部件具有凸形顶面并且所述第二对准部件与所述第一导电连接件的侧壁直接接触，其中，所述第二对准部件的凸形顶面与所述第一对准部件的凸形顶面直接接触。
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