[发明专利]一种银掺杂ITO薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310224949.5 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103345977B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐东;徐永清;石佳光 | 申请（专利权）人： | 徐东 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于光电材料领域，提供了一种银掺杂ITO薄膜的制备方法。该方法采用溶胶‑凝胶技术制备银掺杂ITO薄膜，具体包括以下步骤：制备前驱体溶液；制备银掺杂的ITO溶胶；制备银掺杂ITO薄膜。通过上述方法制备得到的银掺杂ITO薄膜表面平整、颗粒致密，平均透过率高达85%，电阻率达到10‑4级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银掺杂ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：将铟盐、锡盐溶解，配制铟盐与锡盐的混合物有机溶液，加入稳定剂混合，得到前驱体溶液，所述稳定剂为醇胺类化合物；将含银离子的有机溶液与所述前驱体溶液混合、陈化处理后得到银掺杂的ITO溶胶，其中，所述银掺杂的ITO溶胶中银离子浓度为0.01～0.1mol/L；将所述银掺杂的ITO溶胶在基体上进行至少一次涂膜后干燥处理，然后进行退火处理，得到Ag:ITO薄膜。
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