[发明专利]增强型开关器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种增强型开关器件及其制造方法，通过在氮化物沟道层中嵌入p型氮化物层，使得位于栅极区的p型氮化物层被氮化物包围，源极和漏极之间导电沟道处的二维电子气被p型氮化物层阻断。同时利用形成于栅极区的半极性面和非极性面进一步降低二维电子气的浓度，而且p型掺杂的氮化物也会耗尽其周围的二维电子气。在栅极电压增加的时候，p型氮化物的侧面以及上方的第二氮化物沟道层中形成了反型层，导电沟道被开启，从而实现了器件的增强型操作。

主权项

一种增强型开关器件，包括衬底以及形成于所述衬底上的外延多层结构，所述增强型开关器件上定义有栅极区以及分别位于所述栅极区两侧的源极区和漏极区，所述栅极区、源极区和漏极区分别设有栅极、源极和漏极，其特征在于：所述外延多层结构包括依次形成于所述衬底上的氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层和氮化物势垒层，所述氮化物沟道层包括第一氮化物沟道层及位于所述第一氮化物沟道层上方的第二氮化物沟道层，所述第一氮化物沟道层和第二氮化物沟道层之间设有p型氮化物层，所述p型氮化物层位于栅极区且形成于所述栅极的正下方，栅极区的宽度超过p型氮化物层的宽度，所述栅极位于所述氮化物势垒层的上方，所述栅极下方的所述氮化物沟道层中的沟道被夹断。