[发明专利]磁元件和编程磁存储器的方法有效
| 申请号： | 201310225094.8 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103490006B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈友君;唐学体 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种用于半导体器件的磁元件包括参考层、自由层、以及设置在参考层和自由层之间的非磁性隔离物层。非磁性隔离物层包括二元、三元或多元合金氧化物材料。二元、三元或多元合金氧化物材料包括具有一种或多种另外的元素的MgO，所述另外的元素选自由下述元素组成的组Ru、Al、Ta、Tb、Cu、V、Hf、Zr、W、Ag、Au、Fe、Co、Ni、Nb、Cr、Mo和Rh。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 编程 磁存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的磁元件，包括：第一参考层；自由层；以及设置在所述第一参考层和所述自由层之间的第一非磁性隔离物层；其中所述第一非磁性隔离物层包括二元、三元或多元合金氧化物材料，其中所述二元、三元或多元合金氧化物材料包括具有一种或多种另外的元素的MgO，所述另外的元素选自由下述元素组成的组：Ru、Al、Ta、Tb、Cu、V、Hf、Zr、W、Ag、Au、Fe、Co、Ni、Nb、Cr、Mo和Rh。
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