[发明专利]聚天冬氨酸衍生物,其制备,纳米结构,排铅活性和应用有效

专利信息
申请号: 201310225689.3 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN104211961B 公开(公告)日: 2016-12-28
发明(设计)人: 彭师奇;赵明;王玉记;吴建辉;郝程杰 申请(专利权)人: 首都医科大学
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;A61K31/795;A61P39/02
代理公司: 北京思元知识产权代理事务所(普通合伙)11598 代理人: 余光军
地址: 100069 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 聚天冬氨酸衍生物,其制备,纳米结构,排铅活性和应用。本发明公开了式Ia‑b代表的聚天冬氨酸衍生物,式中AA为L‑Met,L‑Cys残基,公开了它们的制备方法,公开了它们的纳米结构,公开了它们与Pb(II)络合的逐级稳定常数,公开了它们在小鼠醋酸铅中毒模型上的排铅作用,进一步公开了它们在小鼠体内并无毒性作用。因而本发明阐明了聚天冬氨酸衍生物Ia‑b作为铅驱排剂的临床应用前景。。
搜索关键词: 天冬氨酸 衍生物 制备 纳米 结构 活性 应用
【主权项】:
式Ia,b代表的聚天冬酰甲硫氨酰‑2‑氨基‑1,3‑丙二醇(Ia),聚天冬酰半胱氨酰‑2‑氨基‑1,3‑丙二醇(Ib),式中AA为L‑Met,L‑Cys残基。
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