[发明专利]聚天冬氨酸衍生物,其制备,纳米结构,排铅活性和应用有效
申请号: | 201310225689.3 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN104211961B | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 彭师奇;赵明;王玉记;吴建辉;郝程杰 | 申请(专利权)人: | 首都医科大学 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;A61K31/795;A61P39/02 |
代理公司: | 北京思元知识产权代理事务所(普通合伙)11598 | 代理人: | 余光军 |
地址: | 100069 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 聚天冬氨酸衍生物,其制备,纳米结构,排铅活性和应用。本发明公开了式Ia‑b代表的聚天冬氨酸衍生物,式中AA为L‑Met,L‑Cys残基,公开了它们的制备方法,公开了它们的纳米结构,公开了它们与Pb(II)络合的逐级稳定常数,公开了它们在小鼠醋酸铅中毒模型上的排铅作用,进一步公开了它们在小鼠体内并无毒性作用。因而本发明阐明了聚天冬氨酸衍生物Ia‑b作为铅驱排剂的临床应用前景。。 | ||
搜索关键词: | 天冬氨酸 衍生物 制备 纳米 结构 活性 应用 | ||
【主权项】:
式Ia,b代表的聚天冬酰甲硫氨酰‑2‑氨基‑1,3‑丙二醇(Ia),聚天冬酰半胱氨酰‑2‑氨基‑1,3‑丙二醇(Ib),式中AA为L‑Met,L‑Cys残基。
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