[发明专利]一种逆导IGBT芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种逆导IGBT芯片及其制备方法。该逆导IGBT芯片包括第一导电类型衬底、位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构和位于衬底第二表面之上的第二表面结构。所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面内的终端区；本发明将芯片元胞区划分为两个宏观的区域：IGBT区和FRD区，免去了现有技术中制备逆导IGBT芯片时需要对IGBT芯片的集电极进行光刻窗口和离子掺杂浓度的准确控制的问题，减小了设计和制备逆导IGBT芯片的难度。

主权项

一种逆导IGBT芯片，其特征在于，包括，第一导电类型衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对，所述第一表面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，其中，所述第二子表面围绕所述第一子表面，所述第三子表面围绕所述第二子表面；位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构，所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面上的终端区；所述IGBT区和所述FRD区均包括若干个并联的IGBT元胞，每个所述IGBT元胞包括第二导电类型的基区，所述FRD区还包括第二导电类型的扩散阱，所述扩散阱的结深大于所述基区的结深，所述扩散阱的掺杂浓度大于所述基区的掺杂浓度；位于所述衬底第二表面之下的第二表面结构，所述第二表面结构包括，位于除与所述FRD区相对应的部分所述第二表面以外的其它所述第二表面下方的第一扩散层，位于与所述FRD区相对应的部分所述第二表面下方的第二扩散层，其中，所述第一扩散层的导电类型为第二导电类型，所述第二扩散层的导电类型为第一导电类型，所述第二扩散层的掺杂浓度大于所述第一扩散层的掺杂浓度；所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。