[发明专利]静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310228847.0 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104241182B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;倪图强;浦远 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电吸盘的制造方法，包括制造静电吸盘的主体部和基座；以及将所述主体部和所述基座连接为一体；其中制造静电吸盘的主体部的步骤包括形成嵌有薄膜电极的陶瓷基板；图形化所述陶瓷基板的上表面；以及在所述陶瓷基板的表面沉积抗等离子侵蚀的保护层以形成所述静电吸盘的主体部。本发明能够有效提高静电吸盘的耐等离子体侵蚀性能、结构稳定性及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 制造 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制造静电吸盘的主体部和基座，其中制造所述主体部的步骤依次包括：步骤S11：形成嵌有薄膜电极的陶瓷基板；步骤S12：图形化所述陶瓷基板的上表面；以及步骤S13：在所述陶瓷基板上沉积图形化的抗等离子侵蚀的保护层，以形成所述静电吸盘的主体部；以及之后将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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