[发明专利]获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法有效
| 申请号： | 201310229132.7 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103266354A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李飞;张树君;李振荣;徐卓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 单畴弛豫铁电单晶 极化 方法 | ||
【主权项】：
一种获得单畴四方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于包括下述的极化工艺步骤：1.1以5℃/min的速度，将四方相晶体加热至TT1，TT1高于该晶体的居里温度20℃～30℃；1.2在TT1温度保温5分钟，同时在晶体上施加沿[001]方向直流电场，其电场强度ET1=1～5kV/cm；1.3在带电场的情况下，对晶体以‑2℃/min的速度缓慢降温至TT2，TT2低于该晶体的居里温度10℃～20℃；1.4以‑5℃/min的速度，将晶体带场降温至室温，取出晶体，获得极化的四方相弛豫铁电单畴晶体。
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