[发明专利]双面受光太阳电池制作方法

摘要

本发明属于太阳电池领域，内容为提出了一种双面受光太阳电池的制作方法，具体包括：在衬底两个主要表面上制作绒面或抛光结构；在衬底主要表面一上热扩散形成p型掺杂的掺杂层一；在衬底主要表面二沉积n型掺杂的介质膜或采用离子注入方法在衬底主要表面二注入n型掺杂剂；对衬底主要表面二进行退火处理，形成n型掺杂的掺杂层二；在两个衬底主要表面沉积介质薄膜和镂空的金属电极。本发明主要用于双面受光太阳电池的制作，与现有技术相比，本发明用更为简单的方法解决了在双面受光太阳电池制作中，要求在半导体衬底两个主要表面形成相互隔离的掺杂层的技术难题，在降低制作成本的同时提高了器件性能。

主权项

一种双面受光太阳电池的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：步骤一：在半导体衬底(21)相对的两个主要表面，即表面一(21a)和表面二(21b)中的一个或两个表面上制作绒面或抛光结构；步骤二：在步骤一所述的表面一(21a)采用热扩散方法形成p型掺杂的掺杂层一(22)；步骤三：在步骤一所述的表面二(21b)沉积n型掺杂的介质膜或采用离子注入方法在表面二(21b)注入n型掺杂剂，形成位于表面二(21b)之上或位于表面二表层的富杂质层二(23)；步骤四：对表面二进行退火处理，使步骤三所述的富杂质层二(23)中的n型杂质向半导体衬底扩散，形成掺杂层二(24)；或者是直接将富杂质层二(23)部分或全部转化成掺杂层二(24)；步骤五：在表面一(21a)上沉积介质薄膜一(25)，在表面二(21b)上沉积介质薄膜二(26)，并在表面一(21a)上制作镂空的金属电极一(27)，在表面二(21b)上制作镂空的金属电极二(28)。