[发明专利]基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构有效
| 申请号： | 201310229994.X | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103337517A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底层、背势垒结构层和沟道层；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成，所述背势垒结构层的Al组份沿从沟道层到衬底层方向递增，但同一背势垒中Al组份不变。背势垒结构层降低了沟道电场峰值，有效的调节了沟道电场，提高了器件的击穿电压；相较于场板技术，多层背势垒结构不增加栅电容，对器件的频率特性影响较小；相较于单层背势垒结构，多层背势垒结构在不引入高浓度的2DHG的前提下，用多层低组份背势垒共同调节沟道电场，从而在保持高的器件饱和电流基础上，有效的增加器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 材料 多层 背势垒 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，其特征在于自下而上包括衬底层（1）、背势垒结构层和沟道层（4）；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成。
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