[发明专利]隔离区域间隙填充方法有效
| 申请号： | 201310231141.X | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104037116B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 彭治棠;黄泰钧;连浩明;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 隔离区域沟槽填充方法，通过可流动沉积工艺或其他沟槽填充沉积工艺，在半导体器件上方沉积第一介电材料，其中半导体器件包括具有多个第一鳍状件的第一FinFET和具有多个第二鳍状件的第二FinFET。方法进一步包括移除第一FinFET和第二FinFET间的第一介电材料，从而形成器件间间隙，在器件间间隙内沉积第二介电材料，并且在半导体器件上应用退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 区域 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：通过可流动沉积工艺在所述半导体器件上方沉积第一介电材料，其中，所述半导体器件包括：第一FinFET，包括多个第一鳍状件；和第二FinFET，包括多个第二鳍状件；移除所述第一FinFET和所述第二FinFET之间的所述第一介电材料，以形成器件间间隙；将第二介电材料沉积到所述器件间间隙内；以及对所述半导体器件应用退火工艺，其中，所述器件间间隙的底面高于所述第一介电材料的底面，所述第一介电材料用于避免所述多个第一鳍状件和所述多个第二鳍状件变形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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