[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310231295.9 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103489896B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 卓泳助;金在均;金峻渊;李在垣;崔孝枝 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 陈源,张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅基衬底，其掺杂有硼(B)和锗(Ge)；所述硅基衬底上的缓冲层；以及所述缓冲层上的氮化物叠层，其中，所述氮化物叠层包括：多个氮化物半导体层；至少一个掩蔽层，其介于所述多个氮化物半导体层之间,所述至少一个掩蔽层包括氮化钛(TiN)；以及至少一个中间层，其介于所述多个氮化物半导体层之间，所述至少一个中间层包括AlxGa1‑xN。
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