[发明专利]伸长的磁阻式隧道结结构有效
| 申请号： | 201310231336.4 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104037321B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 于淳;郑凯文;江典蔚;陈东呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括磁性基准层和隧道阻挡层。所述MTJ结构还包括设置到所述隧道阻挡层上的多个分离的自由磁区。所述伸长的MTJ结构的长宽比为使得所述磁性基准层的磁场以单一方向固定。本发明还公开了一种伸长的磁阻式隧道结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 伸长 磁阻 隧道 结构 | ||
【主权项】：
一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括：形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括：磁性基准层；隧道阻挡层；以及多个分离的自由磁区，设置到所述隧道阻挡层上；其中，设置所述伸长的MTJ结构的长宽比，使得所述磁性基准层的磁场以单一方向固定。
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