[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310231976.5 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104229725A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 汪新学;周强;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法。在半导体器件的形成方法中，在基底上形成金属导电层之前，先形成第一导电层；再以金属导电层上图案化后的光刻胶层为掩膜刻蚀金属导电层，至露出第一导电层；并在去除所述光刻胶层后，继续刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。其中，在刻蚀完金属导电层后灰化去除光刻胶层的过程中，由于有第一导电层的保护，可有效避免灰化工艺中氧等离子气体与基底接触而造成基底损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上方形成金属导电层；在所述金属导电层上方形成光刻胶层，图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属导电层至露出所述第一导电层，在所述金属导电层内形成开口；灰化去除所述光刻胶层；以所述金属导电层为掩膜，刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。
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