[发明专利]微型热电器件、制作方法及包括其的温差发电机有效
| 申请号： | 201310232020.7 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311262A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 金安君;彭文博;刘大为 | 申请（专利权）人： | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/16 | 分类号： | H01L27/16;H01L21/77;H01L35/02;H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 100098 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微型热电器件、制作方法及包括其的温差发电机。该微型热电器件包括：第一基板，设置有图案化的第一电极层；第一阻挡层，设置在第一电极层上；二氧化硅层，设置在第一基板和第一阻挡层上；热电元件，设置在二氧化硅层中；图案化的第二阻挡层，设置在二氧化硅层和热电元件上；第二电极层，设置在图案化的第二阻挡层上；以及第二基板，设置在第二电极层上。本发明提供的微型热电器件的结构适于半导体集成工艺技术，解决了目前微米级热电器件产业化过程中存在的难以实现大规模精密加工的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 热电器件 制作方法 包括 温差 发电机 | ||
【主权项】：
一种微型热电器件，其特征在于，所述微型热电器件包括：第一基板，设置有图案化的第一电极层；第一阻挡层，设置在所述第一电极层上；二氧化硅层，设置在所述第一基板和所述第一阻挡层上；热电元件，设置在所述二氧化硅层中；图案化的第二阻挡层，设置在所述二氧化硅层和所述热电元件上；第二电极层，设置在所述图案化的第二阻挡层上；以及第二基板，设置在所述第二电极层上。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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