[发明专利]接地屏蔽结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201310232109.3 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241242B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘凌;程仁豪;王西宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种接地屏蔽结构及半导体器件，其中接地屏蔽结构包括衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；接地环，与所有所述子导电环电连接。使用本发明的接地屏蔽结构，减小了接地屏蔽结构的寄生电容和寄生电阻，降低了位于接地屏蔽结构上的电感在接地屏蔽结构中的能量损耗，提高了电感的品质因数Q值。而且，还减少了多环导电环的材料损耗，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 接地 屏蔽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种接地屏蔽结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；接地环，与所有所述子导电环电连接，所述接地环具有开口；位于所述衬底中的多环第二有源区环，所述导电环位于第二有源区环上且与第二有源区环为介质层所隔开。
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