[发明专利]金属垫的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 201310232232.5 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241146B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郭晓清;徐俊;龚春雷;吕乐;周真 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属垫的形成方法及半导体结构。包括在衬底上形成覆盖金属互连线的第一隔离层TaN、第二隔离层Ti和第三隔离层TiN，从而使得整个晶圆的金属垫两端的电势差变得趋于一致，甚至差异很小，就使得可靠性测试时离散程度小，有利于提高良率，此外，由于隔离层的增加，使得在形成金属垫时的填充（gap fill）变得容易，也有利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种金属垫的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底至少包括金属互连线；在所述衬底上形成钝化层，刻蚀所述钝化层形成通孔，暴露出所述金属互连线和部分衬底；在所述通孔中形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述金属互连线和部分衬底；在所述第一隔离层上形成第二隔离层和第三隔离层；在所述第三隔离层上形成金属垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310232232.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种缺陷分析方法
- 下一篇：沟道式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
