[发明专利]具超短驻留时间之雷射退火系统及方法有效
| 申请号： | 201310232241.4 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103489812B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·阿尼基特切夫;A·M·霍利鲁克 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/064;B23K26/70;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 曹瑾 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以超短驻留时间对一半导体晶圆执行退火之雷射退火系统及方法。雷射退火系统可包括一或二激光束，其至少部分重迭。其中一激光束系为一预热激光束且其他激光束系为退火激光束。退火激光束以足够快的速度扫描以使驻留时间介于大约1微秒至100微秒之间。所述超短驻留时间对于产品晶圆的退火是有用的，所述产品晶圆系形成自薄装置晶圆，因为他们避免装置晶圆之装置侧因退火过程中的加热而受损。 | ||
| 搜索关键词： | 超短 驻留 时间 雷射 退火 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种超快速雷射退火系统，适用于对具有一晶圆表面的一半导体晶圆进行退火，包括：一主雷射系统，以一第一波长形成主影像于该晶圆表面，其中该主影像增加在一第二波长之下的光吸收总量；及一次雷射系统，以该第二波长形成次影像于该晶圆表面，其中该次影像至少部分地座落于该主影像中；其中，该次雷射系统包含一扫描光学系统，该扫描光学系统以实质上介于1毫秒至100毫秒的范围间的一驻留时间扫描该次影像于该晶圆表面，藉以使该晶圆表面达到实质上介于350°C与1250°C之间的一尖峰退火温度TAP。
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