[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法有效
| 申请号： | 201310232613.3 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311394A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张雄;王春霞;王书昶;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 齐旺 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法。本发明的氮化镓基发光二极管外延结构的特征是具有经过优化的、镁掺杂的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层。当p型铝镓氮-氮化镓超晶格的重复周期数为4至12，而总厚度为50至150nm时，外延片的晶体质量得到明显改善，从而有效地提高发光二极管的抗静电（ESD）良率。本发明的特点在于：采用本发明的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层所制备的发光二极管的综合性能优异，即不仅能够获得高于97%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压和极高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，其外延层结构从下至上依次包括：蓝宝石衬底（101）、氮化镓缓冲层（102）、非掺杂氮化镓层（103）、硅掺杂的n型氮化镓层（104）、硅掺杂的n型铟镓氮和氮化镓组成的电流扩散层（106）、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层（107）、镁掺杂的p型氮化镓层（109）、透明导电层（110）以及n型电极（105）和p型电极（111），其特征在于：在所述铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层（107）与所述镁掺杂的p型氮化镓层（109）之间具有经过优化的、镁掺杂的p型铝镓氮‑氮化镓超晶格组成的电子阻挡层（108）。
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