[发明专利]一种适用于不同子模块类型的MMC阀损耗计算方法有效

专利信息
申请号: 201310232891.9 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN103324843A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 徐政;刘高任;薛英林;张哲任;肖晃庆;林勇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G06F19/00 分类号: G06F19/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种适用于不同子模块类型的MMC阀损耗计算方法,其首先根据系统基本运行工况和主回路参数计算换流器交流侧相电流、桥臂电流和桥臂电压在基频周期内的时域特性曲线;然后选择子模块类型,利用最近电平调制和子模块优化平衡控制策略,并计及采样频率的影响,计算出各子模块投切状态和相关电气量;通过提取IGBT及其反并二极管的厂家数据进行数据拟合建立IGBT及其反并二极管的损耗模型;在给定参数下统一进行损耗评估和求解。基于本发明方法还可计算各种工况下的换流器功率损耗和器件结温分布,流程简便明了,计算通用性强,可对不同子模块类型进行快速计算,特别适合系统初期规划与方案校核,精确度较现有算法有较大提升。
搜索关键词: 一种 适用于 不同 模块 类型 mmc 损耗 计算方法
【主权项】:
一种适用于不同子模块类型的MMC阀损耗计算方法,包括如下步骤:(1)根据MMC的运行工况及系统参数,计算出MMC各桥臂的桥臂电流;(2)利用最近电平逼近调制策略以及子模块电容电压优化平衡控制策略,确定当前时刻MMC中各子模块的投切状态;进而根据子模块的投切状态以及子模块所处桥臂的桥臂电流,确定子模块中各IGBT及其反并二极管所流经的电流;(3)根据子模块中IGBT及其反并二极管的出厂参数,建立IGBT及其反并二极管的损耗模型;(4)根据所述的损耗模型以及子模块中各IGBT及其反并二极管所流经的电流,计算出当前时刻各子模块的阀损耗,进而统计出MMC的阀损耗。
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