[发明专利]基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法及系统有效
| 申请号： | 201310233289.7 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103346117A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾海洋 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法及系统，该方法包括：将涡流感应器固定于晶圆减薄装置的传动轴上，使其垂直于晶圆表面并能随传动轴上下移动；对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对特定的TSV晶圆进行减薄，制定涡流感应器中的感应信号与距离的校准曲线；根据TSV晶圆减薄的目标距离和校准曲线设定终点的感应信号值；对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对TSV晶圆进行减薄，当涡流感应器上的感应信号达到设定的值感应信号时停止TSV晶圆的背面减薄。本发明有效地实现了无接触测量，测量误差小；能够精确控制金属导电柱底部晶圆的厚度；涡流感应器安装方便，工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 涡流 技术 tsv 背面 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将涡流感应器固定于晶圆减薄装置的传动轴上，使涡流感应器垂直于晶圆表面并能随传动轴上下移动；S2、对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对特定的TSV晶圆进行减薄，制定涡流感应器中的感应信号与距离的校准曲线，所述距离为涡流感应器与TSV晶圆中导电柱底部的距离；S3、根据TSV晶圆减薄的目标距离和校准曲线设定终点的感应信号值；S4、对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对TSV晶圆进行减薄，当涡流感应器上的感应信号达到设定的感应信号值时停止TSV晶圆的背面减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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